型号: CY14B104L-ZS20XI
功能描述:
制造商: Cypress Semiconductor
存储器类型： 非易失
存储器格式： NVSRAM
技术： NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量： 4Mb （512K x 8）
写周期时间 - 字，页： 20ns
访问时间： 20ns
存储器接口： 并联
电压 - 电源： 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装： 44-TSOP II
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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