型号: CY14B104L-ZS20XI
功能描述:
制造商: Cypress Semiconductor
存储器类型: 非易失
存储器格式: NVSRAM
技术: NVSRAM(非易失性 SRAM)
存储容量: 4Mb (512K x 8)
写周期时间 - 字,页: 20ns
访问时间: 20ns
存储器接口: 并联
电压 - 电源: 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
供应商器件封装: 44-TSOP II
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:杨先生
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