型号: CY14B104NA-BA25IT
功能描述:
制造商: Cypress Semiconductor
存储器类型： 非易失
存储器格式： NVSRAM
技术： NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量： 4Mb （256K x 16）
写周期时间 - 字，页： 25ns
访问时间： 25ns
存储器接口： 并联
电压 - 电源： 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 48-TFBGA
供应商器件封装： 48-FBGA（6x10）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡泽锋
电话：13360526935
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：邵金
电话：13954634366
Q Q:
联系人：蔡信亮
电话：13415000122
Q Q:
联系人：陈生
Q Q:
