型号: D2012UK
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz SE
制造商: Semelab / TT Electronics
制造商: TT Electronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 4 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
增益: 10 dB
输出功率: 10 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DP
配置: Single
高度: 5.08 mm
长度: 18.92 mm
工作频率: 1 GHz
类型: RF Power MOSFET
宽度: 6.35 mm
商标: Semelab / TT Electronics
通道模式: Enhancement
Pd-功率耗散: 42 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V to 7 V
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：曾舒媚
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：姬
电话：15121020286
Q Q:
联系人：詹嘉源
Q Q:
