型号:  DF23MR12W1M1B11BOMA1

功能描述:  分立半导体模块

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  分立半导体模块

RoHS:  是

产品:  Power MOSFET Modules

类型:  SiC Power MOSFET

Vf - 正向电压:  4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  - 10 V, 20 V

安装风格:  Press Fit

封装 / 箱体:  Easy1B-2

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

封装:  Tray

配置:  Dual

商标:  Infineon Technologies

晶体管极性:  N-Channel

下降时间:  13 ns

Id-连续漏极电流:  25 A

工作电源电压:  -

Pd-功率耗散:  20 mW

产品类型:  Discrete Semiconductor Modules

Rds On-漏源导通电阻:  45 mOhms

上升时间:  7.2 ns

工厂包装数量:  24

子类别:  Discrete Semiconductor Modules

商标名:  CoolSIC

典型关闭延迟时间:  38.5 ns

典型接通延迟时间:  11.5 ns

Vds-漏源极击穿电压:  1200 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  3.5 V

零件号别名:  DF23MR12W1M1_B11 SP001602244