型号: DGD2103AS8-13
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
驱动配置： 半桥
通道类型： 独立式
驱动器数： 2
栅极类型： IGBT，N 沟道 MOSFET
电压-电源： 10 V ~ 20 V
逻辑电压 -VIL，VIH： 0.8V，2.5V
电流-峰值输出（灌入，拉出）： 290mA，600mA
输入类型： 非反相
高压侧电压-最大值（自举）： 600V
上升/下降时间（典型值）： 100ns，50ns
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SO
无铅情况/RoHs： 否
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13360063783
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：冯
电话：029-88813276
Q Q:
联系人：肖生
电话：15813135800
Q Q:
联系人：郭先生
电话：13422881663
Q Q:
