型号: DGD2106S8-13
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
驱动配置： 半桥
通道类型： 独立式
驱动器数： 2
栅极类型： IGBT，N 沟道 MOSFET
电压-电源： 10 V ~ 20 V
逻辑电压 -VIL，VIH： 0.6V，2.5V
电流-峰值输出（灌入，拉出）： 290mA，600mA
输入类型： 非反相
高压侧电压-最大值（自举）： 600V
上升/下降时间（典型值）： 100ns，35ns
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SO
无铅情况/RoHs： 否
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
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联系人：Alien
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联系人：罗先生
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联系人：朱小姐
电话：13725570869
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联系人：吕高飞
电话：15093197508
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联系人：陈先生
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联系人：蒋俊峰
电话：13302945766
Q Q:
