型号: DGD2190S8-13
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
驱动配置： 半桥
通道类型： 独立式
驱动器数： 2
栅极类型： IGBT，N 沟道 MOSFET
电压-电源： 10 V ~ 20 V
逻辑电压 -VIL，VIH： 0.8V，2.5V
电流-峰值输出（灌入，拉出）： 4.5A，4.5A
输入类型： 非反相
高压侧电压-最大值（自举）： 600V
上升/下降时间（典型值）： 25ns，20ns
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SO
无铅情况/RoHs： 否
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：陈晓玲
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联系人：蔡泽锋
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Q Q:
联系人：蔡小姐
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联系人：赵晶
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联系人：李生
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电话：18922814805
Q Q:
