型号: DGTD65T40S2PT
功能描述: IGBT 晶体管 IGBT 600V-X
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: IGBT 晶体管
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.8 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 80 A
Pd-功率耗散: 230 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 80 A
商标: Diodes Incorporated
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
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