型号:  DMB53D0UV-7

功能描述:  MOSFET N-CHANNEL NPN ENHANCEMENT MODE

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-563-6

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel, NPN

Vds-漏源极击穿电压:  50 V

Id-连续漏极电流:  160 mA

Rds On-漏源导通电阻:  3.1 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  700 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  250 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  DMB53D

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  180 mS

产品类型:  MOSFET

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

单位重量:  3 mg