型号:  DMC1017UPD-13

功能描述:  MOSFET Enh FET 12Vdss 8Vgss 20V Complementary

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PowerDI5060-C-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  12 V

Id-连续漏极电流:  9.5 A, 6.9 A

Rds On-漏源导通电阻:  17 mOhms, 32 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  18.6 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.3 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  DMC1017

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:  Diodes Incorporated

产品类型:  MOSFET

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

单位重量:  116 mg