型号:  DMC25D0UVT-7

功能描述:  MOSFET 20V Enh Mode FET

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSOT-26-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  25 V, 30 V

Id-连续漏极电流:  400 mA, 2.6 A

Rds On-漏源导通电阻:  4 Ohms, 300 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  650 mV, 500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V, 12 V

Qg-栅极电荷:  700 pC, 21 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.2 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  DMC25

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  3.7 ns, 14.6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  2.3 ns, 3.3 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  7.7 ns, 61.4 ns

典型接通延迟时间:  3 ns, 3.5 ns