型号: DMG1026UVQ-7
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 440mA（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.8 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 0.45pC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 32pF @ 25V
功率 - 最大值： 650mW
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-563，SOT-666
供应商器件封装： SOT-563
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
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电话：18822854608
Q Q:
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