型号:  DMG3415UFY4Q-7

功能描述:  MOSFET P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  X2-DFN2015-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  16 V

Id-连续漏极电流:  2.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  65 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  10 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.35 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  DMG3415

晶体管类型:  1 P-Channel

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  7.9 S

下降时间:  568 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  175 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  885 ns

典型接通延迟时间:  79 ns