型号: DMG6968UTS-13
功能描述: Diodes Incorporated/分立半导体产品
制造商: Diodes Incorporated
RoHS指令信息： RoHS Cert of Compliance
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 5.2A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 23 毫欧 @ 6.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 950mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 8.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 143pF @ 10V
功率 - 最大值： 1W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装： 8-TSSOP
其它名称： DMG6968UTS-13DI
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：段林洋
电话：18673559111
Q Q:
联系人：孔生
电话：18098935723
Q Q:
联系人：龙先生
电话：18664391970
Q Q:
