型号:  DMG9N65CT

功能描述:  MOSFET N-Ch Enh Mode FET 650V 10V VGS 9.0A

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  9 A

Rds On-漏源导通电阻:  1.3 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  39 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  165 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

系列:  DMG9N65

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  28 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  29 ns

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  122 ns

典型接通延迟时间:  39 ns

单位重量:  2.300 g