型号: DMJ70H1D3SJ3
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 700V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4.6A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 13.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 351pF @ 50V
功率耗散（最大值）： 41W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.3 欧姆 @ 2.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 155°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-251
封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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