型号: DMJ70H1D3SJ3
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 700V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 4.6A(Tc)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 13.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 351pF @ 50V
功率耗散(最大值): 41W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 1.3 欧姆 @ 2.5A,10V
工作温度: -55°C ~ 155°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-251
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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