型号: DMN100-7
功能描述: Diodes Incorporated/分立半导体产品
制造商: Diodes Incorporated
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 剪切带（CT）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 1.1A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 240 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 5.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 150pF @ 10V
功率 - 最大值： 500mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： SC-59-3
其它名称： DMN100DMN1007DMN100CTDMN100CT-NDDMN100DICT
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