型号: DMN1008UFDF-13
功能描述: MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: U-DFN2020-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
Id-连续漏极电流: 12.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 300 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 13.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.7 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 7.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6.6 ns
工厂包装数量: 10000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 17.5 ns
典型接通延迟时间: 3.5 ns
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：唐伟,吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：徐R，李R
Q Q:
联系人：李军
电话：13818974326
Q Q:
联系人：刘雨坤
电话：18296137845
Q Q:
