型号: DMN1019UVT-13
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 10.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 800mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 50.4nC @ 8V
Vgs（最大值）： ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2588pF @ 10V
功率耗散（最大值）： 1.73W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TSOT-26
封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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