型号:  DMN2004DWKQ-7

功能描述:  MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  540 mA

Rds On-漏源导通电阻:  400 mOhms, 400 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  950 pC, 950 pC

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  200 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Reel

系列:  DMN2004D

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  200 mS, 200 mS

下降时间:  10.5 ns, 10.5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7.3 ns, 7.3 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  13.8 ns, 13.8 ns

典型接通延迟时间:  4.1 ns, 4.1 ns