型号: DMN2004VK
功能描述: MOSFET
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 540 mA
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Rds On-漏源导通电阻: 550 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 8 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-563-6
商标: Diodes Incorporated
通道模式: Enhancement
配置: Dual
下降时间: 36.1 ns
最小工作温度: - 65 C
上升时间: 13.3 ns
系列: DMN2004V
典型关闭延迟时间: 53.5 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
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