型号: DMN2005DLP4K
功能描述: MOSFET
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 200 mA
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.5 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 10 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 350 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-6
商标: Diodes Incorporated
通道模式: Enhancement
配置: Dual
最小工作温度: - 65 C
系列: DMN2005D
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：郭海英
电话：13798387995
Q Q:
