型号: DMN2005LP4K
功能描述: MOSFET
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 200 mA
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.5 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 10 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 200 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-3
商标: Diodes Incorporated
通道模式: Enhancement
配置: Single
最小工作温度: - 65 C
系列: DMN2005L
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