型号: DMN2005UFGQ-13
功能描述: MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333
制造商: Diodes Incorporated
包装: 标准卷带
系列: 汽车级，AEC-Q101
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 18A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 164nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 6495pF @ 10V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.05W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI3333-8
封装/外壳: 8-PowerVDFN
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