型号: DMN2009USS-13
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12.1A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：N沟道
制造商: DIODES(美台)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 12.1A
栅源极阈值电压: 1.2V @ 250uA
漏源导通电阻: 8mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.4W
类型: N沟道
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