型号: DMN2008LFU-7
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 标准
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 14.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 5.4 毫欧 @ 5.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.5V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 42.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1418pF @ 10V
功率 - 最大值： 1W
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-uFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装： U-DFN2030-6（B 类）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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