型号:  DMN2016UTS-13

功能描述:  MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSSOP-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  8.58 A

Rds On-漏源导通电阻:  16.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  880 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  DMN2016

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  16.27 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  11.66 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  59.38 ns

典型接通延迟时间:  10.39 ns

单位重量:  158 mg