型号: DMN2016UTS-13
功能描述: MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSSOP-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 8.58 A
Rds On-漏源导通电阻: 16.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 880 mW
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
产品: MOSFET Small Signal
系列: DMN2016
晶体管类型: 2 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 16.27 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 11.66 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 59.38 ns
典型接通延迟时间: 10.39 ns
单位重量: 158 mg
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