型号: DMN2056U-7
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)： 20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 4A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 1.5V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 4.3nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 339pF @ 10V
Vgs（最大值）： ±8V
功率耗散（最大值）： 940mW
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 38 毫欧 @ 3.6A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
无铅情况/RoHs： 否
联系人：唐伟,吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈s
电话：18680355003
Q Q:
联系人：殷晓媚
电话：15919482272
Q Q:
联系人：李杰
电话：18975822810
Q Q:
