型号: DMN2300UFB-7B
功能描述: Diodes Incorporated/分立半导体产品
制造商: Diodes Incorporated
RoHS指令信息： RoHS Cert of Compliance
标准包装： 10,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 1.32A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 175 毫欧 @ 300mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 950mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 0.89nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 67.62pF @ 20V
功率 - 最大值： 468mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 3-UFDFN
供应商器件封装： 3-DFN1006（1.0x0.6）
其它名称： DMN2300UFB-7BDI
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