型号:  DMN2990UDJQ-7

功能描述:  MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-963-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  450 mA

Rds On-漏源导通电阻:  600 mOhms, 600 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  500 pC, 500 pC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  350 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Reel

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  180 ms, 180 ms

下降时间:  6.4 ns, 6.4 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  3.3 ns, 3.3 ns

工厂包装数量:  10000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  19 ns, 19 ns

典型接通延迟时间:  4 ns, 4 ns

单位重量:  27 mg