型号:  DMN3012LDG-13

功能描述:  MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K

制造商:  Diodes Inc. / Pericom

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PowerDI3333-B

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  20 A

Rds On-漏源导通电阻:  12 mOhms, 6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V, 750 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  6.1 nC, 12.6 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.2 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  27 S, 46 S

下降时间:  2.3 ns, 2.9 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  2.7 ns, 3.5 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  6.4 ns, 12.4 ns

典型接通延迟时间:  5.1 ns, 4.4 ns

单位重量:  44 mg