型号: DMN3029LFG-13
功能描述: Diodes Incorporated/分立半导体产品
制造商: Diodes Incorporated
RoHS指令信息： RoHS Cert of Compliance
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 剪切带（CT）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 5.3A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 18.6 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 11.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 580pF @ 15V
功率 - 最大值： 1W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerVDFN
供应商器件封装： PowerDI3333-8
其它名称： DMN3029LFG-13DICTDMN3029LFG13
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