型号: DMN3032LFDBQ-7
功能描述: 30V 6.2A 30mO Dual N-ch U-DFN2020-6
制造商: Diodes Incorporated
FET类型： 2 个 N 沟道（双）
FET功能： 标准
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 30 毫欧 @ 5.8A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 10.6nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 500pF @ 15V
功率-最大值： 1W
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： U-DFN2020-6（B 类）
封装形式Package： UDFN
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 6.2A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：李先生
电话：18682147665
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：郑秋兰
电话：18948314942
Q Q:
