型号: DMN3033LSD-13
功能描述: MOSFET NMOS-DUAL
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 6.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Reel
高度: 1.5 mm
长度: 5.3 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: DMN3033
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 4.1 mm
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 30 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 7 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 63 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
单位重量: 851 mg
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