型号:  DMN3033LSN-7

功能描述:  MOSFET

制造商:  Diodes Incorporated

系列：  DMN

单位重量：  8 mg

高度：  1.1 mm

长度：  3 mm

宽度：  1.6 mm

最大工作温度：  + 150 C

最小工作温度：  - 55 C

安装风格：  SMD/SMT

配置：  Single

典型接通延迟时间：  11 ns

上升时间：  7 ns

Vgs-栅极-源极电压：  20 V

Pd-功率耗散：  1.4 W

通道数量：  1 Channel

Id-连续漏极电流：  6:00 AM

Vds-漏源极击穿电压：  30 V

晶体管类型：  1 N-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：  40 mOhms

通道模式：  Enhancement

晶体管极性：  N-Channel

典型关闭延迟时间：  63 ns

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  6A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  10.5nC @ 5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  755pF @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  1.4W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  30 毫欧 @ 6A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：  SC-59

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  30V

连续漏极电流ID：  6A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs