型号: DMN3035LWN-13
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 5.5A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 35 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 4.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 399pF @ 15V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerVDFN
供应商器件封装： V-DFN3020-8
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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