型号:  DMN30H4D0L-7

功能描述:  MOSFET N-Ch Enh FET 300V 20Vgs 0.25A 0.31W

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  300 V

Id-连续漏极电流:  250 mA

Rds On-漏源导通电阻:  4 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  7.6 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  310 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  DMN30

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  17.5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  4.7 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  25.8 ns

典型接通延迟时间:  4.9 ns

单位重量:  8 mg