型号: DMN313DLT-7
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 270mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 2.5V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 0.5nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 36.3pF @ 5V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 2 欧姆 @ 10mA，4V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装形式Package： SOT-523
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 0.31A
无铅情况/RoHs： 否
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Q Q:
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Q Q:
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