型号:  DMN3190LDW-13

功能描述:  MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  1 A

Rds On-漏源导通电阻:  190 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.8 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  2 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  320 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Reel

系列:  DMN31

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  700 nS

下降时间:  15.6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  8.9 ns

工厂包装数量:  10000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  30.3 ns

典型接通延迟时间:  4.5 ns

单位重量:  7.500 mg