型号: DMN3200U-7
功能描述: MOSFET 650mW 30Vdss
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 2.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 650 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: DMN32
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 1.3 mm
商标: Diodes Incorporated
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
单位重量: 8 mg
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