型号:  DMN33D8LDW-7

功能描述:  MOSFET 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  250 mA

Rds On-漏源导通电阻:  2.4 Ohms, 2.4 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  1.23 nC, 1.23 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  350 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  DMN33

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  13.6 ns, 13.6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  2.6 ns, 2.6 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  18.2 ns, 18.2 ns

典型接通延迟时间:  2.9 ns, 2.9 ns

单位重量:  7.500 mg