型号: DMN33D8LV-7
功能描述: MOSFET 2N7002 Family
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
技术: Si
封装 / 箱体: SOT-363-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel, NPN
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 350 mA
Rds On-漏源导通电阻: 2.4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 1.25 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 430 mW
配置: Dual
通道模式: Enhancement
晶体管类型: 2 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 13.6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 2.6 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 18.2 ns
典型接通延迟时间: 2.9 ns
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