型号: DMN3730UFB4-7
功能描述: MOSFET 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: X2-DFN1006-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 730 mA
Rds On-漏源导通电阻: 460 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
Qg-栅极电荷: 1.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 690 mW
配置: Single
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
产品: MOSFET Small Signal
系列: DMN37
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值: 40 mS
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
单位重量: 15 mg
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