型号:  DMN3730UFB4-7B

功能描述:  MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  X2-DFN1006-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  910 mA

Rds On-漏源导通电阻:  460 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  1.6 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  0.69 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  40 mS

下降时间:  13 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  2.8 ns

工厂包装数量:  10000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  38 ns

典型接通延迟时间:  3.5 ns

单位重量:  1 mg