型号: DMN4010LFG-7
功能描述: MOSFET 40 N-Ch Enh FET 31V to 99V 1810pF
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerDI3333-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 11.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 17 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.45 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: DMN40
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
单位重量: 72 mg
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