型号: DMN5L06DW-7
功能描述: Diodes Incorporated/分立半导体产品
制造商: Diodes Incorporated
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 280mA
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 3 欧姆 @ 200mA，2.7V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 50pF @ 25V
功率 - 最大值： 200mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装： SOT-363
其它名称： DMN5L06DWDITR
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：游先生
电话：13430687883
Q Q:
联系人：汪国涛，程福江
电话：13631558185
Q Q:
联系人：chen
Q Q:
