型号:  DMN601K-7

功能描述:  MOSFET

制造商:  Diodes Incorporated

系列：  DMN

单位重量：  8 mg

高度：  1 mm

长度：  2.9 mm

宽度：  1.3 mm

最大工作温度：  + 150 C

最小工作温度：  - 65 C

安装风格：  SMD/SMT

配置：  Single

Vgs-栅极-源极电压：  20 V

Pd-功率耗散：  350 mW

通道数量：  1 Channel

Id-连续漏极电流：  800 mA

Vds-漏源极击穿电压：  60 V

晶体管类型：  1 N-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：  3 Ohms

通道模式：  Enhancement

晶体管极性：  N-Channel

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

DraintoSourceVoltage(Vdss)：  60V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  300mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  50pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  350mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  2 欧姆 @ 500mA，10V

工作温度：  -65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs