型号: DMN601VK-7
功能描述: MOSFET Dual N-Channel
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-563-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 800 mA
Rds On-漏源导通电阻: 3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 mW
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.6 mm
长度: 1.6 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: DMN60
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 1.2 mm
商标: Diodes Incorporated
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
单位重量: 3 mg
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