型号: DMN61D9UDW-13
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 标准
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 350mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 2 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 0.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 28.5pF @ 30V
功率 - 最大值： 320mW
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装： SOT-363
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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