型号:  DMN63D8LDWQ-7

功能描述:  MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  220 mA

Rds On-漏源导通电阻:  2.8 Ohms, 2.8 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  870 pC, 870 pC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  300 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  DMN63

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  80 mS, 80 mS

下降时间:  6.3 ns, 6.3 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  3.2 ns, 3.2 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  12 ns, 12 ns

典型接通延迟时间:  3.3 ns, 3.3 ns

单位重量:  7.500 mg